삼성전자·하이닉스, 올해 반도체 시설투자 30조 될듯
삼성전자·하이닉스, 올해 반도체 시설투자 30조 될듯
  • 오예인 기자
  • 승인 2017.08.02 11:49
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▲ 반도체 초호황을 맞이해 SK하이닉스와 삼성전자의 반도체 시설투자액이 30조원을 넘어설 전망이다.(사진=삼성전자)

[화이트페이퍼=오예인 기자] 올해 반도체 초호황을 맞이해 삼성전자와 SK하이닉스가 공격적으로 시설투자를 확대하면서 투자액이 30조원을 넘어설 전망이다.

2일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 올해 상반기 반도체 부문 시설투자에 12조5천200억원을 집행했다. 1분기에 5조200억원, 2분기에 7조5천억원을 투자했다.

지난해 삼성전자는 반도체 부문에 13조1천500억원을 투자했다. 올 상반기 투자액만 지난해 1년치에 근접한 것이다. 이런 추세라면 사상 최대 투자 규모였던 2015년의 14조7천200억원을 넘어서 최대 20조원을 넘어설 수도 있을 전망이다. 

삼성전자는 메모리 반도체인 V(수직)-낸드플래시와 시스템 반도체인 이미지센서의 생산능력을 늘리고, 파운드리(반도체 수탁생산)에 미세공정을 도입하는 쪽에 주로 투자를 집행할 계획이다.

SK하이닉스도 올해 역대 최대인 9조6천억원을 투자할 예정이다. D램과 낸드플래시의 생산능력 증대가 목표다. 앞서 SK하이닉스는 올해 초 7조원을 투자하겠다고 밝힌 바 있다. 이후 지난달 말 투자 규모를 2조6천억원 늘리겠다고 재공시했다.

SK하이닉스 측은 "현재 D램과 낸드 제품의 수요를 맞추지 못하는 시장 상황에 대응하면서 장기적으로 미래에 대비하기 위한 투자"라고 설명했다.

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