삼성전자, 4세대 V낸드 라인업 확대
삼성전자, 4세대 V낸드 라인업 확대
  • 김민우 기자
  • 승인 2017.06.15 12:10
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[화이트페이퍼=김민우 기자] 삼성전자가 4세대 V낸드 라인업을 확대한다.

15일 삼성전자에 따르면 회사는 모바일용 eUFS, 소비자용 SSD, 메모리카드 등까지 4세대 V낸드를 넓힐 예정이다. 올해 중 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘린다는 계획이다.

혁신 기술이 적용돼 3세대(48단) 제품 대비 속도와 생산성 및 전력 효율 모두 30% 이상 향상됐다.

삼성전자는 9-Hole이라는 초고집적 셀 구조·공정 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산해 한계를 극복했다. 90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 1테라 비트 V낸드 시대를 여는 원천 기술을 확보했다.

또한 초고속 동작 회로 설계로 초당 1기가비트(Gb)의 데이터를 전송하며 셀에 데이터를 기록하는 속도(tPROG)도 10나노 급(Planar, 평면) 낸드 대비 약 4배, 3세대 V낸드 대비 약 1.5배 빠른 500μs(마이크로 초, 100만분의 1초)를 달성했다는 설명이다.

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