[화이트페이퍼=김민우 기자] 삼성전자는 글로벌 기업용 소프트웨어사 SAP와 차세대 인메모리 플랫폼 연구개발을 위한 리서치센터를 운영한다.
29일 IT(정보기술) 업계에 따르면 삼성전자와 SAP는 이날 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장과 SAP 아시아태평양지역 어데어 폭스 마틴 회장이 참석해 공동 리서치센터 개소식을 했다고 전했다.
양사는 작년 인메모리 플랫폼 'SAP HANA' 공동개발에 합의했다. 앞서 지난 6월 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 MOU를 체결했다.
공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버룸과 양사 연구개발 직원 사무실로 구성됐다.
두 회사는 20나노 D램 기반 128GB(기가바이트) 3DS(3차원 수직적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대인 24TB(테라바이트)급 인메모리 플랫폼 SAP HANA를 구현한 데 이어 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재한 차세대 시스템의 성능 향상을 추진 중이다.
인메모리란 개별 디스크가 아니라 메인메모리에 초대용량 데이터를 저장해 처리속도를 높임으로써 기업들에 유용한 정보저장·처리 방식을 말한다. 삼성전자는 이로써 10나노급 D램 양산으로, SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 제공할 수 있게 됐다.
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