[화이트페이퍼=박세리 기자] 삼성전자는 업계 최선단 12나노급(5세대 10나노급) 공정으로 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR5) D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 작년 12월 개발 완료에 이어 5개월만에 본격 양산에 나섰다.
삼성전자가 양산하는 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력도 약 23% 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영 시 전력 운영 효율을 높일 수 있다.
또한 삼성전자는 유전율(전기를 유도하는 성질·K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 늘렸다. 커패시터는 전자회로에서 전기를 일시적으로 저장하는 장치다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분되어 오류가 발생하지 않는다는 의미다.
여기에 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.
삼성전자의 DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 전했다.
