SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터에 9.4조 원 투자한다
SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터에 9.4조 원 투자한다
  • 이승섭 기자
  • 승인 2024.07.26 21:49
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SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도(사진=SK하이닉스)
SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 조감도(사진=SK하이닉스)

[화이트페이퍼=이승섭 기자] SK하이닉스가 글로벌 인공지능(AI) 반도체 생산 거점이 될 용인 클러스터의 1기 팹(fab·반도체 생산공장)과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조원대 투자를 확정했다.

SK하이닉스는 26일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹과 업무 시설 건설에 약 9조4000억 원을 투자하기로 했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 내년 3월 용인 클러스터에 첫 팹을 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다.

이 투자액에는 1기 팹과 함께 수처리 시설, 공동구(전선로 등 지하매설물을 공동 수용할 수 있는 시설물), 변전시설 등 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다.

SK하이닉스는 "기존 일정의 추진에 앞서 이사회의 투자 의사 결정을 받은 것"이라며 "회사의 미래 성장 기반을 다지고 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다"고 전했다.

작년 9월 용인 반도체 클러스터 공사 현장을 방문한 최태원 회장.(사진=SK하이닉스)
작년 9월 용인 반도체 클러스터 공사 현장을 방문한 최태원 회장.(사진=SK하이닉스)

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지 작업과 인프라 구축 작업이 진행 중이다.

SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여곳과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.

SK하이닉스는 1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 '글로벌 AI 반도체 생산 거점'으로 성장시킨다는 계획이다.

SK하이닉스는 용인 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

아울러 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다.

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