이창양 산업장관, 3나노 파운드리 출하식 참석
정부, 반도체 플러스 산업 강화 방안 수립·이행 방침
[화이트페이퍼=박세리 기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA (Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
출하식 행사에는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS 부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석했다.
삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다’란 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.
이어 경계현 삼성전자 DS 부문장(대표이사)는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 임직원들을 격려하며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.
이번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등의 경쟁사를 제치고 달성했다는 점, 차세대 공정 기술인 '게이트 올 어라운드(GAA)' 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 높다고 평가된다.
이날 행사에 참석한 이창양 산업통상자원부 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표하고 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”고 당부했다.
이 장관은 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성 전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라며, "3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한 만큼, 미래 수요를 견인할 디스플레이·배터리·미래 모빌리티·로봇·바이오 등 '반도체 플러스 산업'에 대한 경쟁력 강화 방안을 순차적으로 수립해 이행하겠다"고 전했다.
한편, 삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 현재 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택 캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
