파운드리 1위 TSMC보다 기술력 우위 보여줘
[화이트페이퍼=박세리 기자] 삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 구조를 적용한 3나노미터 파운드리 공정 양산에 성공했다.
30일 삼성전자는 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노(nm, 나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 밝혔다. 3나노는 반도체 제조공정 중 가장 앞선 기술이다. 파운드리 글로벌 1위 기업인 대만 TSMC보다 기술력의 우위를 보여주었다는 데 의미가 크다.
삼성전자는 지난해 10월 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’에서 올해 상반기 내에 3나노 양산을 시작하겠다고 선언한 바 있다. 일각에서 거론되고 있는 삼성전자 파운드리 위기론을 3나노 양산 성공으로 일축한 셈이다.
삼성전자는 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적 16% 줄일 수 있다고 설명했다. GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소될 것으로 전망했다.
삼성전자는 시높시스(Synopsys), 케이던스(Cadence) 등 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들과 함께 3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라·서비스를 제공함으로써, 고객들이 빠른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나갈 계획이다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이K 메탈 게이트, 핀펫, 극자외선(EUV) 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”며, “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다”고 밝혔다.
