삼성전자, 위기 속 대규모 투자...평택 2라인 메모리 반도체 생산라인 투자로 '초격차'
삼성전자, 위기 속 대규모 투자...평택 2라인 메모리 반도체 생산라인 투자로 '초격차'
  • 이성준 기자
  • 승인 2020.06.01 13:51
  • 댓글 1
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삼성전자 평택 P2라인 전경(사진=삼성전자)
삼성전자 평택 P2라인 전경(사진=삼성전자)

[화이트페이퍼=이성준 기자] 삼성전자가 지난달 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했다고 1일 밝혔다. 2021년 하반기에는 양산에 돌입할 수 있을 것으로 관측된다. 신규 라인에서는 100단 이상의 6세대 V낸드가 양산될 것으로 보인다.

신규 라인에 대한 투자는 ▶AI, IoT 등 4차 산업혁명의 가속 ▶5세대 이동통신(5G) 보급에 따른 데이터 사용량 증가 ▶’코로나19’ 확산에 따른 비대면 서버 메모리 수요 증가 등에 대응하는 것으로 선제적 투자로 경쟁사들과의 ‘초격차’를 유지하기 위해서다. 총 투자 규모는 나오지 않았지만 시장에서는 8조원 규모의 투자가 될 것으로 추정하고 있다.

삼성전자는 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있으며 평택 V낸드 전용라인에 6세대 기반 SSD 라인업을 확대하고 있다. 삼성전자는 세계 낸드 시장 점유율에서 작년 기준 36%를 기록하며 경쟁사들을 멀찌감치 따돌리고 있다. 삼성전자는 지난 2002년 낸드플래시 시장 1위에 오른 뒤 현재까지 그 자리를 굳건히 지키고 있다.

그러나 최근 중국 메모리 반도체 업체들의 추격이 거세지면서 품질 및 기술력, 시장지배력에서 격차가 줄어드는 모양새다. 중국 양쯔메모리(YMTC)는 지난 4월 삼성의 6세대 낸드 수준인 128단 낸드를 개발하는 데 성공했다고 밝히면서 이르면 올 연말 양산에 돌입한다고 발표한 바 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 기존 화성과 2015년 조성된 평택캠퍼스 외에 중국 시안에서도 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 시안에서도 라인 증설 투자를 통해 5세대(9X단) V낸드를 생산하고 있다.

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은주샘 2020-06-02 15:23:46
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